时间：2024-11-11 15:00:55
内存四个时序分别是什么
内存的四个时序参数分别是CL、TRCD、TRP和TRAS。
1. CL（CAS Latency Control）：内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间。同频率下，CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4，CL值越来越大，相反说明CL越大，能上去的频率越高。
2. TRCD（RAS to CAS Delay）：行寻址到列寻址延迟时间。TRCD值对内存最大频率影响最大。
3. TRP（Row Precharge Timing）：内存行地址控制器预充电时间。
4. TRAS（Min RAS Active Timing）：内存行有效至预充电的最短周期，即对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。
这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。
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