时间：2024-10-24 14:01:32
一文解读：MOS管的主要参数介绍及参数含义介绍
【MOS管主要参数】
1.开启电压 VT。开启电压 （又称阈值电压） ：使得源极 S 和漏极 D 之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的 N 沟道 MOS 管， VT 约为 3～6V ； ·通过工艺上的改进，可以使 MOS 管的 VT 值降到 2～3V。
2. 直流输入 电阻 RGS。即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS 管的 RGS 可以很容易地超过 1010Ω。
3. 漏源击穿电压 BVDS。在 VGS=0 （增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使 ID 开始剧增时的 VDS 称为漏源击穿电压 BVDS ·ID 剧增的原因有下列两个方面：
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