时间：2024-11-19 05:02:01
异质结电池工艺流程
异质结电池的工艺流程主要包括以下几步：
1. 清洗制绒：以单晶硅片为衬底，经过清洗制绒形成所需的陷光结构和洁净表面。
2. 沉积非晶硅薄膜：在硅片正面依次沉积厚度为5~10nm的本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜，形成光生载流子分离的pn异质结。然后，在硅片背面依次沉积厚度为5~10nm的本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜形成背表面场，减少载流子在背表面的复合。
3. 沉积透明导电氧化物薄膜层：在正反两面分别沉积一层具有导电功能的透明导电氧化物薄膜层，作为载流子的传输层。
4. 制作电极：在电池的正面丝网印刷栅线电极，在背面印刷背场（BSF）和背电极，并进行干燥和烧结。
5. 电池测试及分选：使用激光刻蚀设备进行边缘隔离，使用I-V测试仪测量电池的基本性能参数和效率，并进行分选。
相比传统的同质结晶体硅电池的制造工序，异质结电池的制造工序步骤更少，仅包括制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化。
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